7月9日(ri)，工信部(bu)公開征求了對光(guang)伏制(zhi)造行(xing)業(ye)規范條(tiao)件及公告管理(li)辦(ban)法(fa)（征求意(yi)見(jian)稿）的(de)意(yi)見(jian)。其中提(ti)到了要(yao)引導光(guang)伏企業(ye)減少單純(chun)擴大產能的(de)光(guang)伏制(zhi)造項(xiang)目(mu)，加強技(ji)術創新、提(ti)高產品質量(liang)、降低生產成(cheng)本。新建和改擴建光(guang)伏制(zhi)造項(xiang)目(mu)，最低資(zi)本金(jin)比例為30%。

　　還提到要鼓勵(li)企業將自動化(hua)、信息化(hua)、智能(neng)化(hua)及綠色(se)化(hua)等(deng)貫穿于(yu)設計、生(sheng)產、管(guan)理(li)、檢測(ce)和服務的各(ge)個環節(jie)，積極開展智能(neng)制造，提升本(ben)質安全水平，降低運(yun)營成(cheng)本(ben)，縮短(duan)產品生(sheng)產周期，提高(gao)生(sheng)產效率，降低產品不良品率，提高(gao)能(neng)源利用率。

　　鼓勵企業(ye)參與光伏(fu)行業(ye)綠(lv)(lv)色(se)低碳相關標(biao)準制(zhi)修(xiu)訂(ding)工(gong)作(zuo)。參照光伏(fu)行業(ye)綠(lv)(lv)色(se)制(zhi)造(zao)(zao)相關標(biao)準要(yao)求，開展(zhan)綠(lv)(lv)色(se)產(chan)品認證(zheng)、綠(lv)(lv)色(se)工(gong)廠、綠(lv)(lv)色(se)供(gong)應(ying)鏈評(ping)價等工(gong)作(zuo)。鼓勵企業(ye)在生(sheng)產(chan)制(zhi)造(zao)(zao)過(guo)程中優先使用(yong)綠(lv)(lv)色(se)清潔電(dian)力，采用(yong)購買綠(lv)(lv)色(se)電(dian)力證(zheng)書、建(jian)設(she)應(ying)用(yong)工(gong)業(ye)綠(lv)(lv)色(se)微(wei)電(dian)網(wang)等方(fang)式滿(man)足(zu)綠(lv)(lv)色(se)制(zhi)造(zao)(zao)要(yao)求。

　　新建和改擴建企業及項目產品應滿足以下要求：

　　1.多晶硅滿足(zu)《電子級多晶硅》(GB/T 12963)3級品以上要求或(huo)《流化床法(fa)顆粒硅》(GB/T35307)特(te)級品的要求。

　　2.多(duo)晶硅(gui)(gui)片(含(han)(han)準單(dan)晶硅(gui)(gui)片)少(shao)子(zi)(zi)(zi)壽(shou)命(ming)不低(di)于(yu)(yu)2.5us，碳(tan)、氧含(han)(han)量(liang)分別(bie)(bie)小于(yu)(yu)6ppma和(he)8ppma;P型(xing)單(dan)晶硅(gui)(gui)片少(shao)子(zi)(zi)(zi)壽(shou)命(ming)不低(di)于(yu)(yu)90us，N型(xing)單(dan)晶硅(gui)(gui)片少(shao)子(zi)(zi)(zi)壽(shou)命(ming)不低(di)于(yu)(yu)1000us，碳(tan)、氧含(han)(han)量(liang)分別(bie)(bie)小于(yu)(yu)1ppma和(he)12ppma，其中(zhong)異質結(jie)電池用N型(xing)單(dan)晶硅(gui)(gui)片少(shao)子(zi)(zi)(zi)壽(shou)命(ming)不低(di)于(yu)(yu)700us,碳(tan)、氧含(han)(han)量(liang)分別(bie)(bie)小于(yu)(yu)1ppma和(he)14ppma.

　　3.多晶(jing)硅(gui)電池、P型(xing)單晶(jing)硅(gui)電池和(he)N型(xing)單晶(jing)硅(gui)電池(雙面(mian)電池按正(zheng)面(mian)效(xiao)率計(ji)算)的平均光(guang)電轉換效(xiao)率分別不低于(yu)21.7%、23.7%和(he)26%。

　　4.多(duo)晶硅(gui)組(zu)件、P型單(dan)晶硅(gui)組(zu)件和N型單(dan)晶硅(gui)組(zu)件(雙面組(zu)件按正面效(xiao)(xiao)率計(ji)算)的平均光電轉換效(xiao)(xiao)率分(fen)別(bie)不(bu)低于19.7%、21.8%和23.1%。

　　5.CIGS、CdTe及其他薄膜(mo)組件的平均光電轉(zhuan)換效率分別不低于16%、16.5%、15%。

　　P型(xing)晶(jing)硅組(zu)(zu)件衰(shuai)減(jian)率首年(nian)(nian)不(bu)(bu)(bu)高(gao)(gao)于(yu)(yu)(yu)2%，后(hou)續(xu)每(mei)年(nian)(nian)不(bu)(bu)(bu)高(gao)(gao)于(yu)(yu)(yu)0.55%，25年(nian)(nian)內(nei)(nei)不(bu)(bu)(bu)高(gao)(gao)于(yu)(yu)(yu)15%，N型(xing)晶(jing)硅組(zu)(zu)件衰(shuai)減(jian)率首年(nian)(nian)不(bu)(bu)(bu)高(gao)(gao)于(yu)(yu)(yu)1%，后(hou)續(xu)每(mei)年(nian)(nian)不(bu)(bu)(bu)高(gao)(gao)于(yu)(yu)(yu)0.4%，25年(nian)(nian)內(nei)(nei)不(bu)(bu)(bu)高(gao)(gao)于(yu)(yu)(yu)11%；薄膜組(zu)(zu)件衰(shuai)減(jian)率首年(nian)(nian)不(bu)(bu)(bu)高(gao)(gao)于(yu)(yu)(yu)4%，后(hou)續(xu)每(mei)年(nian)(nian)不(bu)(bu)(bu)高(gao)(gao)于(yu)(yu)(yu)0.4%，25年(nian)(nian)內(nei)(nei)不(bu)(bu)(bu)高(gao)(gao)于(yu)(yu)(yu)14%。

文章來源于網(wang)絡(luo)，如有(you)侵權請(qing)聯系刪除。